设计开关电源时防止EMI的22个措施

发布时间:2022-06-18 14:46 阅读次数:
本文摘要:作为工作于电源状态的能量切换装置,开关电源的电压、电流变化率很高,产生的阻碍强度较小;干扰源主要集中于在功率电源期间以及与之连接的散热器和高平变压器,相对于数字电路干扰源的方位更为确切;电源频率不低(从几十千赫和数兆赫兹),主要的阻碍形式是传导阻碍和近场阻碍;而印刷线路板(PCB)回头线一般来说使用手工布线,具备更大的政治性,这减少了PCB产于参数的萃取和近场阻碍估算的可玩性。

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作为工作于电源状态的能量切换装置,开关电源的电压、电流变化率很高,产生的阻碍强度较小;干扰源主要集中于在功率电源期间以及与之连接的散热器和高平变压器,相对于数字电路干扰源的方位更为确切;电源频率不低(从几十千赫和数兆赫兹),主要的阻碍形式是传导阻碍和近场阻碍;而印刷线路板(PCB)回头线一般来说使用手工布线,具备更大的政治性,这减少了PCB产于参数的萃取和近场阻碍估算的可玩性。  1MHZ以内----以差模阻碍居多,减小X电容就可解决问题  1MHZ---5MHZ---差模共模混合,使用输出末端并一系列X电容来杂讯劣碰阻碍并分析出有是哪种阻碍微克并解决问题;5M---以上以共计碰阻碍居多,使用诱导共计碰的方法。

对于外壳短路的,在地线上用一个磁环绕着2圈会对10MHZ以上阻碍有较小的波动(diudiu2006);对于25--30MHZ不过可以使用增大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、转变PCBLAYOUT、输入线前面相接一个双线并绕的小磁环,最多绕行10圈、在输入整流管两端并RC滤波器。  30---50MHZ广泛是MOS管高速通车变频器引发,可以用减小MOS驱动电阻,RCD缓冲器电路使用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决问题。  100---200MHZ广泛是输入整流管反向恢复电流引发,可以在整流管上串磁珠  100MHz-200MHz之间大部分出于PFCMOSFET及PFC二极管,现在MOSFET及PFC二极管串磁珠有效果,水平方向基本可以解决问题,但横向方向就很不得已了  开关电源的电磁辐射一般只不会影响到100M以下的频段。也可以在MOS,二极管上加适当吸取电路,但效率不会有所减少。

  设计开关电源时避免EMI的措施  1.把噪音电路节点的PCB铜箔面积最大限度地增大;如电源管的漏极、集电极,初次级绕组的节点,等。  2.使输出和输入末端靠近噪音元件,如变压器线包在,变压器磁芯,电源管的散热片,等等。

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  3.使噪音元件(如未遮挡的变压器线包在,并未遮挡的变压器磁芯,和电源管,等等)靠近外壳边缘,因为在长时间操作者下外壳边缘很有可能附近外面的接地线。  4.如果变压器没用于电场屏蔽,要维持屏蔽体和散热片靠近变压器。  5.尽可能增大以下电流的环的面积:次级(输入)整流器,初级电源功率器件,栅极(基极)驱动线路,辅助整流器。  6.不要将门近于(基极)的驱动返馈环路和初级开关电路或辅助整流电路混合在一起。

  7.调整优化阻尼电阻值,使它在电源的死区时间里不产生振铃响声。  8.避免EMI滤波电感饱和状态。  9.使拐弯节点和次级电路的元件靠近初级电路的屏蔽体或者电源管的散热片。

  10.维持初级电路的转动的节点和元件本体靠近屏蔽或者散热片。  11.使高频输出的EMI滤波器附近输出电缆或者连接器末端。


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